IRF540NPBF
Infineon Technologies
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
ACTIVE
RoHS: ROHS3 Compliant
Tube
Bester Preis ab
0,30 EUR
| Distributor | SKU | Bestand | Min. | Verpackung | Lieferzeit | 1 | 10 | 100 | 1.000 | 10.000 | Stand | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | IRF540NPBF | 3.408 | 1 | TB1 | – | 1,34 | 0,67 | 0,55 | 0,42 | 0,30 | 1d | Zum Angebot → |
| Mouser | 942-IRF540NPBF | 0 | 1 | Tube | 266 Tage | 1,32 | 0,62 | 0,56 | 0,43 | 0,35 | 1d | Zum Angebot → |
| Nachlieferung bei Mouser: 21.595 Stk. am 19.11.2026, 20.000 Stk. am 21.06.2027 | ||||||||||||
| Digi-Key | IRF540NPBF-ND | 0 | 1 | Tube | 266 Tage | 1,32 | 0,83 | 0,55 | 0,43* | 0,43* | 1d | Zum Angebot → |
Preise pro Stück in EUR, netto zzgl. USt. * Preis von niedrigerer Staffelmenge abgeleitet, keine exakte Staffel für diese Menge hinterlegt.
Technische Spezifikationen
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 33A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 44mOhm @ 16A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 71 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1960 pF @ 25 V
- Power Dissipation (Max)
- 130W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-220AB
- Package / Case
- TO-220-3
Technische Details
- Gehäuse
- Tube
- Gewicht
- 2.007 g
- Ursprungsland
- China
- Datenblatt
- Öffnen →
Zoll- & Exportcodes
- TARIC
- 8541290000
- CNHTS
- 8541290000
- CAHTS
- 8541290000
- USHTS
- 8541290065
- JPHTS
- 8541290100
- KRHTS
- 8541299000
- MXHTS
- 85412999
- ECCN
- EAR99